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Onsemi MJD200G SMD, NPN Transistor 25 V / 5 MA 10 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin

About The : 40 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 12,5 W, Gleichstromverstärkung min

onsemi MJD200G SMD, NPN Transistor 25 V / 5 mA 10 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin, Verlustleistung max.: 12,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 45, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 40 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 8 V, Abmessungen: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Onsemi MJD200G SMD, NPN Transistor 25 V / 5 MA 10 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin

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