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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Hirschmann RPS 30 DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 30W, 100-240V Ac, 24V Dc / 1.3A

About The 3A, Ausgangsspannung: 24V dc.Hirschmann RPS 30 DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 30W, 100-240V ac, 24V dc / 1

Hirschmann RPS 30 DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 30W, 100-240V ac, 24V dc / 1.3A, Ausgangsspannung: 24V dc

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Hirschmann RPS 30 DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 30W, 100-240V Ac, 24V Dc / 1.3A

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Specifications of Hirschmann RPS 30 DIN-Schienen Netzteil DIN-Schienen Netzteil 30W, 100-240V Ac, 24V Dc / 1.3A

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Panduit TIE MOUNTS, EXTRA-HEAVY

Panduit TIE MOUNTS, EXTRA-HEAVY

Panduit TIE MOUNTS, EXTRA-HEAVY, MPN: TMEH-S8-Q0.

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    • onsemi IGBT-Modul Dual 118 W Q0PACK - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

    onsemi IGBT-Modul Dual 118 W Q0PACK - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

    onsemi IGBT-Modul Dual 118 W Q0PACK - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte), Anzahl an Transistoren: 2, MPN: NXH40B120MNQ0SNG.

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    • Belden 10GX Ethernetkabel Cat.6a, 2m, Blau Patchkabel, A RJ45 S/FTP Stecker, B RJ45, Aussen ø 6.1mm, LSZH

    Belden 10GX Ethernetkabel Cat.6a, 2m, Blau Patchkabel, A RJ45 S/FTP Stecker, B RJ45, Aussen ø 6.1mm, LSZH

    1mm, LSZH, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Anschlussbelegung: Direkt Durchgang, Verhalten im Brandfall: Raucharm halogenfrei, AWG: 26 AWG, MPN: CAE4106002M.

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    Microchip Mikrocontroller PIC32MZ PIC 32bit SMD 2,048 MB TQFP 100-Pin 200MHz 512 KB RAM USB

    Microchip Mikrocontroller PIC32MZ PIC 32bit SMD 2,048 MB TQFP 100-Pin 200MHz 512 KB RAM USB, Anzahl der SPI-Kanäle: 6, MPN: PIC32MZ2048ECG100-I/PT.

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    Infineon CoolMOS CFD7 IPA60R210CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon CoolMOS CFD7 IPA60R210CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP.

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    Infineon CoolMOS P7 IPA70R360P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP

    : 0,36 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.

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