Vishay SiSF06DN SISF06DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 101 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0045 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V
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Vishay SiSF06DN SISF06DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 101 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD
Specifications of Vishay SiSF06DN SISF06DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 101 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD | |
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