Vishay SiDR392DP SIDR392DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00062 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiDR392DP SIDR392DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
Specifications of Vishay SiDR392DP SIDR392DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |