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Onsemi NTMFS NTMFS034N15MC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 31 A, 8-Pin PQFN8

About The onsemi NTMFS NTMFS034N15MC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 31 A, 8-Pin PQFN8

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Specifications of Onsemi NTMFS NTMFS034N15MC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 31 A, 8-Pin PQFN8

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Allen Bradley 800T Drucktastenkopf Ø 30mm, Blau Tastend Beleuchtet Metall, IP67

Allen Bradley 800T Drucktastenkopf Ø 30mm, Blau Tastend Beleuchtet Metall, IP67

Allen Bradley 800T Drucktastenkopf Ø 30mm, Blau Tastend Beleuchtet Metall, IP67, IP Schutzart: IP67, IP69K, Beleuchtet: Ja, MPN: 800T-QBH2B.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Drucktastenschalter und Zubehör
  • Druckschalter Betätiger
  • Allen Bradley
    • Vishay SMD Diode, 50V / 1.5A, 2-Pin DO-214AA (SMB)

    Vishay SMD Diode, 50V / 1.5A, 2-Pin DO-214AA (SMB)

    5A, 2-Pin DO-214AA (SMB), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Switching, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 1.15V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 2µs, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, MPN: S2A-E3/52T.Vishay SMD Diode, 50V / 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Schottky-Dioden und Gleichrichter
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    • Wurth Elektronik WR-TBL Steckbarer Klemmenblock Header 2-Kontakte 3.81mm-Raster Gerade

    Wurth Elektronik WR-TBL Steckbarer Klemmenblock Header 2-Kontakte 3.81mm-Raster Gerade

    81mm-Raster Gerade, Montagetyp: PCB, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 10.0A, Betriebsspannung: 300,0 V, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, MPN: 691701320002B.

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    • onsemi NIV6350MT1GEVB Evaluierungsplatine, Evaluation board Elektroniksicherung

    onsemi NIV6350MT1GEVB Evaluierungsplatine, Evaluation board Elektroniksicherung

    onsemi NIV6350MT1GEVB Evaluierungsplatine, Evaluation board Elektroniksicherung, Kit-Klassifizierung: Development Kit.

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    • onsemi NTHL NTHL019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247

    onsemi NTHL NTHL019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247

    onsemi NTHL NTHL019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.

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    • TE Connectivity FASTON .110 Flachsteckhülse, Unisoliert, 2.8 x 0.8mm, Stecker, 0.3mm² - 0.8mm², 22AWG min
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    onsemi NTMTS NTMTSC1D6N10MCTXG N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 267 A, 8-Pin TDFNW8

    : 0,0017 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.onsemi NTMTS NTMTSC1D6N10MCTXG N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 267 A, 8-Pin TDFNW8, Drain-Source-Widerstand max.

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    onsemi NTMTS NTMTSC1D6N10MCTXG N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 267 A, 8-Pin TDFNW8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0017 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.

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