Infineon OptiMOS 3 IPA030N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 79 A 41 W, 3-Pin TO-220 FP, Gehäusegröße: TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Infineon OptiMOS 3 IPA030N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 79 A 41 W, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPA030N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 79 A 41 W, 3-Pin TO-220 FP | |
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