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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

About The Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin, MPN: CY7C1041G-10VXI

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin, MPN: CY7C1041G-10VXI

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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

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Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

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Carling Technologies Switch,SPDT,ON-NONE-ON,SPADE TerminalS

Carling Technologies Switch,SPDT,ON-NONE-ON,SPADE TerminalS

Carling Technologies Switch,SPDT,ON-NONE-ON,SPADE TerminalS, MPN: 2FB53-73-TABS.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Kippschalter und Schiebeschalter
  • Kippschalter
  • Carling Technologies
    • TE Connectivity ROX3S Metalloxid Widerstand 47Ω ±5% / 3W

    TE Connectivity ROX3S Metalloxid Widerstand 47Ω ±5% / 3W

    : +235°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: ROX3SJ47R.TE Connectivity ROX3S Metalloxid Widerstand 47Ω ±5% / 3W, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • TE Connectivity
    • Panasonic GA, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 16V dc, Ø 4mm x 7mm, bis 105°C

    Panasonic GA, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 16V dc, Ø 4mm x 7mm, bis 105°C

    Panasonic GA, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 16V dc, Ø 4mm x 7mm, bis 105°C, Kapazität: 10µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 4 (Dia.: +105°C, Anschlussraster: 1.

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  • Panasonic
    • RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 74mm / Außen-Ø 80mm, Stärke 3mm

    RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 74mm / Außen-Ø 80mm, Stärke 3mm

    ): -30°C, Betriebstemperatur (max.RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 74mm / Außen-Ø 80mm, Stärke 3mm, Betriebstemperatur (min.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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  • RS PRO
    • RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 96mm / Außen-Ø 102mm, Stärke 3mm

    RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 96mm / Außen-Ø 102mm, Stärke 3mm

    ): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +90°C.RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 96mm / Außen-Ø 102mm, Stärke 3mm, Betriebstemperatur (min.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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  • RS PRO
    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 3.01kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 3.01kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 3.01kΩ ±0.: -65°C, MPN: YR1B3K01cc.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.

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    • Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

    Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

    Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin, MPN: CY7C1041G-10VXI.

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    • TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 12V dc Spule

    TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 12V dc Spule

    94mm, Länge: 32.51mm, MPN: T9AS1D22-12=RELAY,QC/PC,SEAL,P.TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 12V dc Spule, Spulenspannung: 12V dc, Spulenwiderstand: 144 Ω, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Anschluss Typ: Durchsteckmontage, Tiefe: 27.

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    Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin, MPN: CY7C1041G-10VXI.

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    TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 12V dc Spule

    TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 12V dc Spule, Spulenspannung: 12V dc, Spulenwiderstand: 144 Ω, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Anschluss Typ: Durchsteckmontage, Tiefe: 27.43mm, Höhe: 27.

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