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Onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm

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Specifications of Onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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