ROHM RQ6E050AJ RQ6E050AJTCR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RQ6E050AJ RQ6E050AJTCR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
Specifications of ROHM RQ6E050AJ RQ6E050AJTCR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6 | |
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