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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
Induktivitäten
SMD-Induktivität
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TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.85A Mit Metall-Kern, 252012 Gehäuse 2.5mm / ±20%

About The 2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.5 x 2 x 1

TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.85A mit Metall-Kern, 252012 Gehäuse 2.5mm / ±20%, Tiefe: 2mm, Höhe: 1.2mm, Abmessungen: 2.5 x 2 x 1.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 540mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +105°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: VLS252012HBX-100M-1

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TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.85A Mit Metall-Kern, 252012 Gehäuse 2.5mm / ±20%

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Specifications of TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.85A Mit Metall-Kern, 252012 Gehäuse 2.5mm / ±20%

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Sick Reflex Array Kubisch Optischer Sensor, Reflektierend, Bereich 4,5 m, NPN, PNP, PUSH/PULL Ausgang,
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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    • Vishay TR3 Kondensator, MnO2, 10μF, 35V dc SMD, ±10%, Gehäuse 7343-31, +125°C
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    • TDK VLS-HBX Drosselspule, 3,3 μH 2.37A mit Metall-Kern, 3012 Gehäuse 3mm / ±20%

    TDK VLS-HBX Drosselspule, 3,3 μH 2.37A mit Metall-Kern, 3012 Gehäuse 3mm / ±20%

    2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: -40°C, MPN: VLS3012HBX-3R3M.: 150mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.

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    • TDK VLS-CX-1 Drosselspule, 22 μH 780mA mit Ferrit-Kern, 3012 Gehäuse 3mm / ±20%

    TDK VLS-CX-1 Drosselspule, 22 μH 780mA mit Ferrit-Kern, 3012 Gehäuse 3mm / ±20%

    2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: -40°C, MPN: VLS3012CX-220M-1.TDK VLS-CX-1 Drosselspule, 22 μH 780mA mit Ferrit-Kern, 3012 Gehäuse 3mm / ±20%, Höhe: 1.

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    • IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 30A, 4-Pin SOT-227B

    IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 30A, 4-Pin SOT-227B

    24V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 150ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: DSEP2x31-12A.IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 30A, 4-Pin SOT-227B, Gleichrichter-Typ: Fast Recovery, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 3.

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    • onsemi NSS40300MDG SMD, PNP Transistor Dual –40 V / –3 A 100 MHz, SOIC 8-Pin

    onsemi NSS40300MDG SMD, PNP Transistor Dual –40 V / –3 A 100 MHz, SOIC 8-Pin

    : –7 V, Abmessungen: 5 x 4 x 1.: -40 V dc, Basis-Emitter Spannung max.

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    TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.85A mit Metall-Kern, 252012 Gehäuse 2.5mm / ±20%

    : 540mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: -40°C, MPN: VLS252012HBX-100M-1.TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.

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    • IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V

    IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V

    : -55 °C, Betriebstemperatur max.26 x 5.46mm, Abmessungen: 16.3mm, Höhe: 21.

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    TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.85A mit Metall-Kern, 252012 Gehäuse 2.5mm / ±20%

    TDK VLS-HBX-1 Drosselspule, 10 μH 0.5mm / ±20%, Tiefe: 2mm, Höhe: 1.: +105°C, Betriebstemperatur min.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.

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    • IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V

    IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V

    74V, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Betriebstemperatur min.26 x 5.3mm, Höhe: 21.

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