reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The 5mm, Betriebstemperatur max.Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max

Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Depletion, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.52 /10
Votes :- 6
Infineon SIPMOS BSP317PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Infineon SIPMOS BSP317PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 3.3V / 200 mW max, SOD-323 2-Pin

    onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 3.3V / 200 mW max, SOD-323 2-Pin

    : -65 °C, MPN: MM3Z3V3ST1G.35 x 1mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Zener Dioden
  • onsemi
    • Sifam Potentiometer Drehknopf Schwarz, Zeiger Grün Ø 10.7mm x 16.4mm, Flach Schaft 6mm

    Sifam Potentiometer Drehknopf Schwarz, Zeiger Grün Ø 10.7mm x 16.4mm, Flach Schaft 6mm

    4mm, Flach Schaft 6mm, MPN: K70104.Sifam Potentiometer Drehknopf Schwarz, Zeiger Grün Ø 10.7mm x 16.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Stellwiderstände
  • Potentiometer Knöpfe
  • Sifam
    • RS PRO LWL-Sender, 640 → 670nm, 30 → 40ns, Fallzeit 20 → 30ns, 1.5 → 15ns 13.6 x 11.5 x

    RS PRO LWL-Sender, 640 → 670nm, 30 → 40ns, Fallzeit 20 → 30ns, 1.5 → 15ns 13.6 x 11.5 x

    5 x 9.5 → 15ns 13.: 16Mbit/s, Steckerform: Quadratisch, Abmessungen: 13.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Faseroptische Komponenten
  • Faseroptik Sender
  • RS PRO
    • TE Connectivity Junior Power Timer Automotive, Kfz-Steckverbinder Gehäuse, Buchse, 6-polig, Schwarz / 2-reihig

    TE Connectivity Junior Power Timer Automotive, Kfz-Steckverbinder Gehäuse, Buchse, 6-polig, Schwarz / 2-reihig

    5mm, Tiefe: 16mm, Gehäusematerial: PBT, Seriennummer: 929504, MPN: 929504-2.5mm, Breite: 23.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Elektrische Kfz-Steckverbinder
  • KFZ-Steckverbinder
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity Mini-Universal MATE-N-LOK Leiterplattensteckverbinder Gehäuse Stecker 4.14mm, 14-polig / 2-reihig,

    TE Connectivity Mini-Universal MATE-N-LOK Leiterplattensteckverbinder Gehäuse Stecker 4.14mm, 14-polig / 2-reihig,

    14mm, 14-polig / 2-reihig,, Montagetyp: Kabelmontage, Zur Verwendung mit: Mini-Universal-MATE-N-LOK-Steckverbindergehäuse, Länge: 33.43mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 770582-1.TE Connectivity Mini-Universal MATE-N-LOK Leiterplattensteckverbinder Gehäuse Stecker 4.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Steckergehäuse und Stecker
  • TE Connectivity
    • Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

    Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

    Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Depletion, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Ohmite Resistor, Wirewound;120 Ohms;3 W;+/-5%;Axial;Vitreous;135 V;20 ga.;1.5 In.

    Ohmite Resistor, Wirewound;120 Ohms;3 W;+/-5%;Axial;Vitreous;135 V;20 ga.;1.5 In.

    Ohmite Resistor, Wirewound;120 Ohms;3 W;+/-5%;Axial;Vitreous;135 V;20 ga.", MPN: 23J120E.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • Ohmite
    • Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Ohmite Resistor, Wirewound;120 Ohms;3 W;+/-5%;Axial;Vitreous;135 V;20 ga.;1.5 In.

    Ohmite Resistor, Wirewound;120 Ohms;3 W;+/-5%;Axial;Vitreous;135 V;20 ga.;1.5 In.

    5 In.;1.Ohmite Resistor, Wirewound;120 Ohms;3 W;+/-5%;Axial;Vitreous;135 V;20 ga.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • Ohmite