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Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse Für Erdungs- Und Resistivitäts-Prüfgeräte

About The Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse für Erdungs- und Resistivitäts-Prüfgeräte, FM Modulation: Elektrischer Messprüfer, MPN: P01298068

Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse für Erdungs- und Resistivitäts-Prüfgeräte, FM Modulation: Elektrischer Messprüfer, MPN: P01298068

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Specifications of Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse Für Erdungs- Und Resistivitäts-Prüfgeräte

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Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse Für Erdungs- Und Resistivitäts-Prüfgeräte
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Rating :- 8.96 /10
Votes :- 8
RS PRO Kohleschicht Widerstand 4.7kΩ ±5% / 1W
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • RS PRO
    • Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 470nF / 10V dc, Gehäuse 1206 (3216M)

    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 470nF / 10V dc, Gehäuse 1206 (3216M)

    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 470nF / 10V dc, Gehäuse 1206 (3216M), MPN: 885012208011.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • Wurth Elektronik
    • Schneider Electric Thalassa TBS ABS Universal-Gehäuse Thalassa Grau Außenmaß 341 x 291 x 128mm IP66

    Schneider Electric Thalassa TBS ABS Universal-Gehäuse Thalassa Grau Außenmaß 341 x 291 x 128mm IP66

    Schneider Electric Thalassa TBS ABS Universal-Gehäuse Thalassa Grau Außenmaß 341 x 291 x 128mm IP66, Höhe (Außen): 341 mm, Breite (Außen): 291 mm, Better World-Produkt: Ja, IK-Klassifizierung: IK07, Better World-Verifizierung: Green Premium, RAL-Code: RAL 7035, MPN: NSYTBS342912.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Gehäuse und Server-Racks
  • Gehäuse
  • Universalgehäuse
  • Schneider Electric
    • Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 25.2V 17.1V min., 2-Pin, THT 15.3V max DO-15

    Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 25.2V 17.1V min., 2-Pin, THT 15.3V max DO-15

    7mm, Betriebstemperatur max.Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional Einfach 25.: 16A, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Suppressordioden TVS
  • Taiwan Semiconductor
    • SMC KQ2 Winkel-Einsteckadapter, Rohr-zu-Rohr, PBT

    SMC KQ2 Winkel-Einsteckadapter, Rohr-zu-Rohr, PBT

    ): +60°C, Betriebstemperatur (min.): -5°C, Rohranschluss A - Rohrgröße: 8mm, Rohranschluss B - Typ: Drückend, MPN: KQ2L08-00A.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatische Verbinder & Leitungen und Schläuche
  • Pneumatische Anschlüsse
  • SMC
    • Molex DIN 43650 Ventilsteckverbinder, Serie 121012,, 3P+E IP65, IP67 16A 250 V (AC); 300 V (DC)

    Molex DIN 43650 Ventilsteckverbinder, Serie 121012,, 3P+E IP65, IP67 16A 250 V (AC); 300 V (DC)

    Molex DIN 43650 Ventilsteckverbinder, Serie 121012,, 3P+E IP65, IP67 16A 250 V (AC); 300 V (DC), DIN 43650 Typ: DIN 43650 A, Farbe: Schwarz, Anschlussart: Schrauben, MPN: B263000N2.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leistungssteckverbinder
  • DIN 43650 Ventilsteckverbinder
  • Molex
    • Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse für Erdungs- und Resistivitäts-Prüfgeräte

    Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse für Erdungs- und Resistivitäts-Prüfgeräte

    Chauvin Arnoux Wasserdichtes Gehäuse für Erdungs- und Resistivitäts-Prüfgeräte, FM Modulation: Elektrischer Messprüfer, MPN: P01298068.

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  • Chauvin Arnoux
    • IXYS HiperFET, Polar IXTP62N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220

    IXYS HiperFET, Polar IXTP62N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220

    : 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • IXYS
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    • IXYS HiperFET, Polar IXTP62N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220

    IXYS HiperFET, Polar IXTP62N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220

    : +175 °C.IXYS HiperFET, Polar IXTP62N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.66mm, Betriebstemperatur max.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • IXYS