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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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EPCOS SIMID Drosselspule, 3,3 μH 900mA Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 50MHz

About The 2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.5 x 3

EPCOS SIMID Drosselspule, 3,3 μH 900mA mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 50MHz, Tiefe: 3.2mm, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 3.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 190mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82432T1332K000

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Specifications of EPCOS SIMID Drosselspule, 3,3 μH 900mA Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 50MHz

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Rating :- 9.29 /10
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TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 390Ω ±0.1% / 0.063W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse
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  • TE Connectivity
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 20.5kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
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    • TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 75kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 75kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 75kΩ ±0.1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.8kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.8kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.: +155°C, MPN: CRCW08051K80FKEA.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.37kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
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    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 133Ω ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 133Ω ±0.1% / 0.25W

    1% / 0.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 133Ω ±0.: -55°C, MPN: H8133RBYA.

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    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 91kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 91kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 91kΩ ±0.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 91kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 91kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 91kΩ ±0.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    EPCOS SIMID Drosselspule, 3,3 μH 900mA mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 50MHz

    5 x 3.2 x 3.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.EPCOS SIMID Drosselspule, 3,3 μH 900mA mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.

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