Infineon HEXFET IRLS3036TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRLS3036TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET IRLS3036TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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