Infineon IGBT / 100 A ±30V max., 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 60kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, Nennleistung: 4.2mJ, Gate-Kapazität: 3269pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IKY50N120CH3XKSA1
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Infineon IGBT / 100 A ±30V Max., 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
Specifications of Infineon IGBT / 100 A ±30V Max., 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal | |
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