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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Diskrete Halbleiter

Vishay SUP70040E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

About The .: 4,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SUP70040E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.51mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Vishay SUP70040E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

Vishay SMD Schottky Diode, 120V / 35A, 2 + Tab-Pin SlimDPAK

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Specifications of Vishay SUP70040E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
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Last Updated December 15th, 2023 11:28 pm

Vishay SUP70040E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

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RS PRO Pneumatische Schnellsteckkupplung Messing vernickelt, Rohr, 6mm

RS PRO Pneumatische Schnellsteckkupplung Messing vernickelt, Rohr, 6mm, Serie: 70230.

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Pneumatik und Hydraulik

Pneumatische Verbinder & Leitungen und Schläuche

Pneumatik-Schnellverbindungskupplungen

Infineon HEXFET IRF9321TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

: 2.: 11,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.4V, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.

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nVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 x 342 x 128mm, für Gehäuse AF

nVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 x 342 x 128mm, für Gehäuse AF, Länge: 2mm, Breite: 342mm, Material: Weichstahl, MPN: AFA02R5.

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nVent HOFFMAN Modulares Verteilungs-Chassis, 600 x 600mm, für Gehäuse AC

nVent HOFFMAN Modulares Verteilungs-Chassis, 600 x 600mm, für Gehäuse AC, Material: Weichstahl, MPN: AC06060R5.

Elektromechanik & Automation und Kabel

Gehäuse und Server-Racks

Gehäuse und Rack-Komponenten

Gehäuse-Zubehör

Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 30.1kΩ ±1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse

1kΩ ±1% / 0.Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 30.

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Festwiderstände

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: 4,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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Sioen, MPN: 1666Y-L.

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: 4V, Gate-Schwellenspannung min.Vishay SUP70040E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.

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