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Infineon OptiMOS T IPD30N10S3L34ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2

Infineon OptiMOS T IPD30N10S3L34ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 42 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm

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Specifications of Infineon OptiMOS T IPD30N10S3L34ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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