reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay E-Series SIHB5N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 1.: 4V

Vishay E-Series SIHB5N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1.3 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay E-Series SIHB5N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay E-Series SIHB5N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay E-Series SIHB5N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
More Varieties

Rating :- 9.41 /10
Votes :- 10