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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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DiodesZetex

DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8

About The : 0,0069 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2

DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0069 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

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DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8

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Specifications of DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8

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Anderson Power Products Batteriesteckverbinder 175A

Anderson Power Products Batteriesteckverbinder 175A

Anderson Power Products Batteriesteckverbinder 175A, Farbe: Rot, MPN: W-6329G7.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • AC,DC Leistungs Steckverbinder
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  • Anderson Power Products
    • Microchip 16kB EEPROM-Speicher, Seriell-SPI Interface, MSOP, 160ns SMD 2048 x 8 Bit, 2048 x 8-Pin 8bit

    Microchip 16kB EEPROM-Speicher, Seriell-SPI Interface, MSOP, 160ns SMD 2048 x 8 Bit, 2048 x 8-Pin 8bit

    8 → 5.: 5,5 V, Programmierspannung: 1.: +85 °C, MPN: 25AA160C-I/MS.5V, Abmessungen: 3 x 3 x 0.

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  • Microchip
    • Microchip 512kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, SOIC, 1000ns SMD 64K x 8 Bit, 64 x 8-Pin 8bit

    Microchip 512kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, SOIC, 1000ns SMD 64K x 8 Bit, 64 x 8-Pin 8bit

    5 → 5.: +125 °C, Betriebstemperatur min.5V, Abmessungen: 4.5mm, Datenerhalt: >200Jahr, Betriebstemperatur max.

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    • Microchip 8kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell (3-Draht) Interface, SOIC, 400ns SMD 1024 x 8/512 x 16, 1024/512 x

    Microchip 8kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell (3-Draht) Interface, SOIC, 400ns SMD 1024 x 8/512 x 16, 1024/512 x

    99 x 1.55mm, Datenerhalt: >200Jahr, Betriebstemperatur max.: 5,5 V, Programmierspannung: 4.

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    • DiodesZetex Brückengleichrichter, 1-phasig 10A 60V SMD TO-252 2-Pin

    DiodesZetex Brückengleichrichter, 1-phasig 10A 60V SMD TO-252 2-Pin

    DiodesZetex Brückengleichrichter, 1-phasig 10A 60V SMD TO-252 2-Pin, MPN: SBRFP10U60D1-13.

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    • DiodesZetex Brückengleichrichter, 1-phasig 8A 1000V SMD HBS 4-Pin

    DiodesZetex Brückengleichrichter, 1-phasig 8A 1000V SMD HBS 4-Pin

    DiodesZetex Brückengleichrichter, 1-phasig 8A 1000V SMD HBS 4-Pin, Konfiguration: Single, MPN: HBS810-13.

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    • DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8

    DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8

    5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2.: 0,0069 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • DiodesZetex DMTH4008LPDWQ DMTH4008LPDWQ-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 46,2 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    DiodesZetex DMTH4008LPDWQ DMTH4008LPDWQ-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 46,2 A, 8-Pin PowerDI5060-8

    : 2.DiodesZetex DMTH4008LPDWQ DMTH4008LPDWQ-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 46,2 A, 8-Pin PowerDI5060-8, Drain-Source-Widerstand max.3V.: 0,0123 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    : 2.DiodesZetex DMTH8008LFGQ DMTH8008LFGQ-7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 70 A, 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    : 2.DiodesZetex DMTH4008LPDWQ DMTH4008LPDWQ-13 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 46,2 A, 8-Pin PowerDI5060-8, Drain-Source-Widerstand max.

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