reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
onsemi

Onsemi UltraFET HUF75639P3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

About The onsemi UltraFET HUF75639P3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi UltraFET HUF75639P3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi UltraFET HUF75639P3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi UltraFET HUF75639P3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi UltraFET HUF75639P3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
More Varieties

Rating :- 9.46 /10
Votes :- 6