onsemi FCB199N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 199 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi FCB199N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi FCB199N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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