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Amphenol Industrial R4 RADSOK Surlok Plus EV-Steckverbinder, RADSOK, 1-reihig, 1-polig, Buchsenkontakt, 50 Mm², / 200A,

About The Amphenol Industrial R4 RADSOK Surlok Plus EV-Steckverbinder, RADSOK, 1-reihig, 1-polig, Buchsenkontakt, 50 mm², / 200A,, Betriebsspannung: 1000V, Steckverbindertyp: Stecker, Ausrichtung: Rechtwinklig, Anschlussart: Crimp, Farbe: Orange, Schutzart: IP 67, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: SLPPB50BSO / C10-730188-000

Amphenol Industrial R4 RADSOK Surlok Plus EV-Steckverbinder, RADSOK, 1-reihig, 1-polig, Buchsenkontakt, 50 mm², / 200A,, Betriebsspannung: 1000V, Steckverbindertyp: Stecker, Ausrichtung: Rechtwinklig, Anschlussart: Crimp, Farbe: Orange, Schutzart: IP 67, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: SLPPB50BSO / C10-730188-000

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Microchip Power Switch IC Hochspannungsseite Hochspannungsseite 90mΩ 1-Kanal 5,5 V max.
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    Microchip DSP dsPIC33F dsPIC 16bit SMD 128 KB TQFP 64-Pin

    Microchip DSP dsPIC33F dsPIC 16bit SMD 128 KB TQFP 64-Pin, Programmspeicher-Typ: Flash, MPN: DSPIC33FJ128GP706-I/PT.

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    Microchip Mikrocontroller ATmega128 AVR 8bit SMD 128 KB TQFP 64-Pin 16MHz, Programmspeicher-Typ: Flash, MPN: ATMEGA128-16AN.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 46.4kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 46.4kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 46.4kΩ ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • Infineon IAUT IAUZ40N10S5N130ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon IAUT IAUZ40N10S5N130ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon IAUT IAUZ40N10S5N130ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3.

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    • onsemi PowerTrench FDMA1023PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,7 A 1,5 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMA1023PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,7 A 1,5 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMA1023PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,7 A 1,5 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 30Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 30Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRCW080530R0FKEA.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 30Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 30Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 30Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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