reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1

Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.12mm, Länge: 6.25mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.46 /10
Votes :- 10
Panasonic NHG, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF ±20% / 63V dc, Ø 6.3mm x 11.2mm, bis 105°C

Panasonic NHG, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF ±20% / 63V dc, Ø 6.3mm x 11.2mm, bis 105°C

5mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 3 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 120mA, MPN: ECA1JHG470.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Panasonic
    • Telemecanique Sensors ELEKTR.SI-ÜBER.FÜR ISFT630 ABGANG UNTEN

    Telemecanique Sensors ELEKTR.SI-ÜBER.FÜR ISFT630 ABGANG UNTEN

    SI-ÜBER.Telemecanique Sensors ELEKTR.FÜR ISFT630 ABGANG UNTEN, MPN: 49859.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Prozessautomation
  • Erweitertes Sortiment
  • Telemecanique Sensors
    • HellermannTyton MB Befestigungssockel selbstklebend, Nylon 66 Weiß 37.7mm x 37,7 mm, für 4.7mm → 10mm Kabelbinder, 100

    HellermannTyton MB Befestigungssockel selbstklebend, Nylon 66 Weiß 37.7mm x 37,7 mm, für 4.7mm → 10mm Kabelbinder, 100

    : +85°C, MPN: 151-28529 MB5A-PA66-WH.HellermannTyton MB Befestigungssockel selbstklebend, Nylon 66 Weiß 37.7mm → 10mm Kabelbinder, 100, Selbstklebend: Ja, Betriebstemperatur min.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Kabelbinder und -befestigungen
  • Kabelbindermontage
  • HellermannTyton
    • Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 7,5 nH 240mA AEC-Q200, 0201 (0603M) Gehäuse 0.6mm

    Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 7,5 nH 240mA AEC-Q200, 0201 (0603M) Gehäuse 0.6mm

    Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 7,5 nH 240mA AEC-Q200, 0201 (0603M) Gehäuse 0.6mm, Tiefe: 0.3mm, MPN: 7447820075G.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Wurth Elektronik
    • Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 820 nH 300mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

    Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 820 nH 300mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

    Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 820 nH 300mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, MPN: 7447602820A.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Wurth Elektronik
    • Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 620 nH 230mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

    Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 620 nH 230mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

    Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 620 nH 230mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, MPN: 7447602620A.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Wurth Elektronik
    • Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

    : -20 V, +20 V, Höhe: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • Vishay SIA461DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12 A 17,9 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

    Vishay SIA461DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12 A 17,9 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

    Vishay SIA461DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12 A 17,9 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.8mm, Länge: 1.: 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • Vishay SIA461DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12 A 17,9 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

    Vishay SIA461DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12 A 17,9 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

    Vishay SIA461DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12 A 17,9 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.7mm.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay