DiodesZetex DMC3026LSD-13 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 1,6 W, 8-Pin SOIC

Name: DiodesZetex - DiodesZetex DMC3026LSD-13 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 1,6 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand Max.: 29 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 3V, Gate-Schwellenspannung Min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C
Brand: DiodesZetex
SKU: CAWY-157662
Price: 577.50 EUR
Availability: InStock

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.DiodesZetex DMC3026LSD-13 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 1,6 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max

DiodesZetex DMC3026LSD-13 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 1,6 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 29 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 nH 360mA AEC-Q200, 0201 (0603M) Gehäuse 0.6mm

FTDI Chip UART SIE, UART 512B 512B 500Kbit/s 16-Pin SSOP 5 V

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Specifications of DiodesZetex DMC3026LSD-13 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 1,6 W, 8-Pin SOIC
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Last Updated December 31st, 2023 03:28 am

DiodesZetex DMC3026LSD-13 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 1,6 W, 8-Pin SOIC

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RS PRO Mini Rundsteckverbinder Buchse 3-polig / 13.0A Kabelmontage, Lötanschluss IP68

0A Kabelmontage, Lötanschluss IP68, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 250 V, Verbindungstyp: Steckbar, Gehäusematerial: Nylon, Kontakt-Format: 3P, Kontaktbeschichtung: Gold, Kontaktmaterial: Messing.

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Rundsteckverbinder

Industrie,Automation Steckverbinder

RS PRO

Wurth Elektronik SMD-Mehrschicht-Induktivität, 18 nH 170mA AEC-Q200, 0201 (0603M) Gehäuse 0.6mm

6mm, MPN: 7447820118G.

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onsemi Logikgatter, 4-Elem., NAND, HC, LS-TTL, 5.2mA, 14-Pin, SOIC, 2, Montage-Typ: SMD, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Eingangs-Typ: CMOS, Arbeitsspannnung max.: 6 V, Signalverzögerungszeit @ max.

75 x 4 x 1., NAND, HC, LS-TTL, 5.

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EAD 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS) Multiband-Antenne, Rundstrahlantenne, 1710 → 2170 MHz, 824 → 960 MHz,

EAD 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS) Multiband-Antenne, Rundstrahlantenne, 1710 → 2170 MHz, 824 → 960 MHz,, Physische Form Antenne: Stabantenne, Montageart Antenne: Magnetisch, Anschlusstyp: SMA, Verstärkung: 2dBi, Anschlusslänge: 3m, Serie: PentaMag, MPN: FMAG35153-SM-3K.

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Passive Bauelemente

Antennen

Multi-Band Antennen

EAD

Digi International ZigBee-Modul, +5dBm -102dBm SPI / UART XBee, 2.1 → 3.6V

: +85 °C, Betriebstemperatur min.3mm, Betriebstemperatur max.

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Halbleiter

Kommunikations- und Funkmodul ICs

WPAN Module

Digi International

FTDI Chip UART SIE, UART 512B 512B 500Kbit/s 16-Pin SSOP 5 V

: –40 °C, Höhe: 1.197 x 0.

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