ROHM RV2C010UN RV2C010UNT2L N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin DFN
About The : –8 V, +8 V, Länge: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
ROHM RV2C010UN RV2C010UNT2L N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 0.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RV2C010UN RV2C010UNT2L N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin DFN
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Specifications of ROHM RV2C010UN RV2C010UNT2L N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin DFN | |
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