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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max

Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 480 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm

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Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323

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Specifications of Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323

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Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323
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Broadcom LWL-Transceiver, 125MBd 1380нм Wellenlänge max.

Broadcom LWL-Transceiver, 125MBd 1380нм Wellenlänge max.

Broadcom LWL-Transceiver, 125MBd 1380нм Wellenlänge max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Faseroptische Komponenten
  • Faseroptik Transceiver
  • Broadcom
    • Broadcom THT LED Rot 2,4 V, 30 x 70° 5 mm (T-1 3/4)

    Broadcom THT LED Rot 2,4 V, 30 x 70° 5 mm (T-1 3/4)

    : 630 nm, Abmessungen: 5.2 (Dia.Broadcom THT LED Rot 2,4 V, 30 x 70° 5 mm (T-1 3/4), Montage Typ: Durchsteckmontage, Lichtstärke: 4200 mcd, Linsenform: Oval, Wellenlänge typ.

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  • Displays und Optoelektronik
  • LEDs – Leuchtdioden
  • LEDs
  • Broadcom
    • KEMET SSRH Gleichtaktdrossel, 8 mH / 10 kHz, 0.074Ω, 3,5 A, 25.5 x 20 x 31mm, -25 °C → +120 °C.

    KEMET SSRH Gleichtaktdrossel, 8 mH / 10 kHz, 0.074Ω, 3,5 A, 25.5 x 20 x 31mm, -25 °C → +120 °C.

    : -25°C, MPN: SSRH24NVS-35080 KEMET SSRH Gleichtaktdrossel, 8 mH / 10 kHz, 0.THT, Montageart: Durchsteckmontage, Anschlussart: Lötauge, Tiefe: 20mm, Länge: 25.5 x 20 x 31mm, -25 °C → +120 °C.

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  • Passive Bauelemente
  • EMV-Filter und -Schutz
  • Gleichtaktdrosseln
  • KEMET
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 107kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 107kΩ ±0.1% / 0.25W

    : +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8107KBYA.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 430Ω ±1% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 430Ω ±1% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 430Ω ±1% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: 3522240RFT.TE Connectivity 3522 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 3W, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 480 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

    : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    : -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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