Vishay TrenchFET SISS27DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay TrenchFET SISS27DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay TrenchFET SISS27DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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