ROHM BSM BSM120D12P2C005 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.6V, Länge: 122mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Breite: 45.6mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM BSM BSM120D12P2C005 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C
Specifications of ROHM BSM BSM120D12P2C005 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C | |
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