Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 150 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0035 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SUM70030M-GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 150 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 150 A, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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