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Onsemi NTH NTH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4

About The onsemi NTH NTH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.3V, Transistor-Werkstoff: SiC

onsemi NTH NTH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: SiC

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Onsemi NTH NTH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4

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Specifications of Onsemi NTH NTH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4

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