Vishay SI2328DS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1.15 A 730 MW, 3-Pin SOT-23
About The .15 A 730 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max
Vishay SI2328DS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1.15 A 730 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI2328DS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1.15 A 730 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Vishay SI2328DS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1.15 A 730 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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