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Infineon BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin PG-DSO-8

About The Infineon BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin PG-DSO-8, Channel-Modus: Enhancement

Infineon BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin PG-DSO-8, Channel-Modus: Enhancement

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Specifications of Infineon BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin PG-DSO-8

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Infineon BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin PG-DSO-8
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Infineon IGBT / 900 A ±20V max., 1200 V 20 mW, 7-Pin

Infineon IGBT / 900 A ±20V max., 1200 V 20 mW, 7-Pin

, 1200 V 20 mW, 7-Pin, Konfiguration: Dual, Montage-Typ: Tafelmontage, MPN: FF900R12ME7PB11BPSA1.

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    • Infineon Mikrocontroller TRAVEO™ T2G CYT2B7 Series 32bit SMD 1,088 MB LQFP 100-Pin 160MHz

    Infineon Mikrocontroller TRAVEO™ T2G CYT2B7 Series 32bit SMD 1,088 MB LQFP 100-Pin 160MHz

    Infineon Mikrocontroller TRAVEO™ T2G CYT2B7 Series 32bit SMD 1,088 MB LQFP 100-Pin 160MHz, Programmspeicher-Typ: Flash, MPN: CYT2B75CADQ0AZEGS.

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    • Rubycon MS5, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6.8μF ±20% / 50V dc, Ø 6.3mm x 5mm, +85°C

    Rubycon MS5, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6.8μF ±20% / 50V dc, Ø 6.3mm x 5mm, +85°C

    8μF ±20% / 50V dc, Ø 6.5mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 0,01 CV oder 3 μA, Brummstrom: 26mA, MPN: 50MS56R8MEFC6.

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    Rubycon ML, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 16V dc, Ø 4mm x 7mm, bis 105°C

    Rubycon ML, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 16V dc, Ø 4mm x 7mm, bis 105°C, Kapazität: 22µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 4 (Dia.

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    • Infineon 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort

    Infineon 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort

    Infineon 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort, Organisation: 128K x 8, Zugriffszeit max.: 45ns, MPN: CY62128ELL-45SXIT.

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    Infineon FRAM-Speicher 8MBit, 1024K x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin

    Infineon FRAM-Speicher 8MBit, 1024K x 8 Seriell-SPI SOIC 8-Pin, Datenbus-Breite: 8bit, MPN: CY15B108QN-40SXI.

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    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 16kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 16kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    1W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: ERJ2RKF1602X.Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 16kΩ ±1% / 0.

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    Infineon BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin PG-DSO-8, Channel-Modus: Enhancement.

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