Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 2,63e+007 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
Specifications of Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23 | |
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