Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin, Organisation: 64 K x 16, Zugriffszeit max.: 12ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.41 x 10.16 x 1mm, Länge: 18.41mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: 71016S15PHGI
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
Specifications of Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin | |
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