reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Speicherbausteine
SRAM
Renesas Electronics

Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin

About The 41 x 10.: 12ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18

Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin, Organisation: 64 K x 16, Zugriffszeit max.: 12ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.41 x 10.16 x 1mm, Länge: 18.41mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: 71016S15PHGI

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Specifications of Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin

Category
Instockinstock

Last Updated

Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
More Varieties

Rating :- 9.19 /10
Votes :- 7