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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Onsemi NTHL125N NTHL125N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO-247

About The .onsemi NTHL125N NTHL125N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

onsemi NTHL125N NTHL125N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,125 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Onsemi NTHL125N NTHL125N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO-247

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Maxim Integrated Multiplexer, 16-Pin, SOIC, 4.5 to 18V- bipolar
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Logik ICs
  • Multiplexer- und Demultiplexer-ICs
  • Maxim Integrated
    • Maxim Integrated Aktivfilter, Tiefpass, Bandpass Filter,, zeitkontinuierlich 300kHz, SO 20-Pin

    Maxim Integrated Aktivfilter, Tiefpass, Bandpass Filter,, zeitkontinuierlich 300kHz, SO 20-Pin

    : 5 V, Versorgungsspannung bipolar typ.6 x 2.Maxim Integrated Aktivfilter, Tiefpass, Bandpass Filter,, zeitkontinuierlich 300kHz, SO 20-Pin, Filter-Typ: Band Pass Filter, Low Pass Filter, Architektur: Continuous Time, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Versorgungsspannung einzeln typ.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Schnittstellen
  • Aktivfilter
  • Maxim Integrated
    • Maxim Integrated Spannungsregler 500mA, 1 Linearregler Μmax, 8-Pin, Einstellbar, Fest
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  • Stromversorgung
  • Spannungsregler
  • Maxim Integrated
    • Vishay CRCW-HP e3,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10kΩ ±1% / 0.2W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW-HP e3,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10kΩ ±1% / 0.2W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW-HP e3,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10kΩ ±1% / 0.2W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • onsemi NTMFS1D7N NTMFS1D7N03CGT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 170 A, 5-Pin DFN

    onsemi NTMFS1D7N NTMFS1D7N03CGT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 170 A, 5-Pin DFN

    2V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,00174 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    onsemi NTHL125N NTHL125N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO-247.

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    • Olympus TG6 Kompakt Digitalkamera 3Zoll LCD 12MP 4X Optischer Zoom Rot WLAN

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    4 x 66mm, Maximale Blendenöffnung: f/2, Gewicht: 253g, Breite: 113mm, MPN: V104210RE000 .Olympus TG6 Kompakt Digitalkamera 3Zoll LCD 12MP 4X Optischer Zoom Rot WLAN, WLAN: Ja, Tiefe: 32.

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