onsemi NTBG080N120SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: Si
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Onsemi NTBG080N120SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi NTBG080N120SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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