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Gates Hi-Power Antriebsriemen, A-Profil 13mm X 8mm X 2200mm

About The Gates Hi-Power Antriebsriemen, A-Profil 13mm x 8mm x 2200mm, Innenlänge: 2160mm, MPN: 9002-10085

Gates Hi-Power Antriebsriemen, A-Profil 13mm x 8mm x 2200mm, Innenlänge: 2160mm, MPN: 9002-10085

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Gates Hi-Power Antriebsriemen, A-Profil 13mm X 8mm X 2200mm

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Specifications of Gates Hi-Power Antriebsriemen, A-Profil 13mm X 8mm X 2200mm

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Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 75V / 450mA, 2-Pin MiniMELF

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 75V / 450mA, 2-Pin MiniMELF

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 75V / 450mA, 2-Pin MiniMELF, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schalt, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 4ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 2A, MPN: LL4148 L0.

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    Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 2A 600V SMD 1.15V DBLS 4-Pin 10μA Siliziumverbindung

    : +150 °C, Betriebstemperatur min.15V DBLS 4-Pin 10μA Siliziumverbindung, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, Betriebstemperatur max.: –55 °C, Stoßspitzensperrstrom: 10µA, Abmessungen: 8.6mm, Länge: 8.

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    5 x 2.Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 2A 1000V SMD 1.51mm, MPN: DBLS207G.

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    Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Schottky Diode, 30V / 200mA, 2-Pin SOD-323F, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 650mV, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 5ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 4A, MPN: BAT42WS RR.

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