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Onsemi UltraFET FDS2734 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The 5mm, Länge: 4mm.onsemi UltraFET FDS2734 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

onsemi UltraFET FDS2734 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 225 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.5mm, Länge: 4mm

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Specifications of Onsemi UltraFET FDS2734 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Vishay -Kanal SMD Reflexionslichtschranke Transistor-Ausgang

Vishay -Kanal SMD Reflexionslichtschranke Transistor-Ausgang

Vishay -Kanal SMD Reflexionslichtschranke Transistor-Ausgang, Peak-Sensor Abstand: 0.

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    • Tenneco TCP V0 Kabel-Schutzschlauch Schwarz Polyester, Länge 100m Umflochtener Dehnbar

    Tenneco TCP V0 Kabel-Schutzschlauch Schwarz Polyester, Länge 100m Umflochtener Dehnbar

    Tenneco TCP V0 Kabel-Schutzschlauch Schwarz Polyester, Länge 100m Umflochtener Dehnbar, Schlauchdurchmesser: 15mm, Umflochten: Ja, MPN: TCP-V0-10MM-BLACK.

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    Tenneco 2000 V0 Kabel-Schutzschlauch Schwarz Polyester, Länge 25m Umflochtener Dehnbar

    Tenneco 2000 V0 Kabel-Schutzschlauch Schwarz Polyester, Länge 25m Umflochtener Dehnbar, Schlauchdurchmesser: 5mm, Umflochten: Ja, MPN: ROUNDIT-2000-VO-5MM-BLACK.

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    • Dialight SMD LED Grün 2,4 V, 140° 3016 (1206)

    Dialight SMD LED Grün 2,4 V, 140° 3016 (1206)

    Dialight SMD LED Grün 2,4 V, 140° 3016 (1206), Lichtstärke: 40 mcd, Linsenform: Rechteck, Wellenlänge typ.6 x 0.7mm, Linsenfarbe: Klar, MPN: 5988270107F.

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    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 33kΩ ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse

    05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE0733KL.Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 33kΩ ±1% / 0.

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    onsemi UltraFET FDS2734 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    5mm, Länge: 4mm.: 225 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi UltraFET FDS2734 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.

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    5mm, Länge: 4mm.: 225 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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