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Vishay IRFS9N60APBF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.Vishay IRFS9N60APBF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Vishay IRFS9N60APBF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 750 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay IRFS9N60APBF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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