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Infineon CoolMOS CE IPD60R1K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : -30 V, +30 V, Länge: 6.5V, Gate-Source Spannung max

Infineon CoolMOS CE IPD60R1K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon CoolMOS CE IPD60R1K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon CoolMOS CE IPD60R1K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 61 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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