reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon HEXFET IRF3708PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 87 W, 3-Pin TO-220AB

About The : +175 °C.Infineon HEXFET IRF3708PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 87 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF3708PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 87 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 12 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF3708PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 87 W, 3-Pin TO-220AB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRF3708PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 87 W, 3-Pin TO-220AB

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRF3708PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 87 W, 3-Pin TO-220AB
More Varieties

Rating :- 9.58 /10
Votes :- 5