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Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK

About The Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK

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SKF Kupplung, Rasterkupplung, Außen-Ø 101mm / Bohrung 30mm x 66mm, 52Nm

SKF Kupplung, Rasterkupplung, Außen-Ø 101mm / Bohrung 30mm x 66mm, 52Nm

SKF Kupplung, Rasterkupplung, Außen-Ø 101mm / Bohrung 30mm x 66mm, 52Nm, Befestigung Typ: Horizontalspalt-Abdeckung, MPN: PHE 1020TGHCOVER.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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    • Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8

    Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8

    : 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8

    : 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.

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    • Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

    Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

    Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.: 195 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

    Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.

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