Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8
Specifications of Infineon IPT60R IPT60R028G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |