Infineon OptiMOS 3 BSC093N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 2,5 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 13,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm, MPN: BSC093N04LS G
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Infineon OptiMOS 3 BSC093N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 2,5 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC093N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 2,5 W, 8-Pin TDSON | |
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