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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC

About The IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.45V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 330A, MPN: DSI30-08A

IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.45V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 330A, MPN: DSI30-08A

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Specifications of IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC

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Allen Bradley 1492SPM MCB Leitungsschutzschalter Typ C, 2-polig 6A 277V, Abschaltvermögen 10 kA 1492

Allen Bradley 1492SPM MCB Leitungsschutzschalter Typ C, 2-polig 6A 277V, Abschaltvermögen 10 kA 1492

Allen Bradley 1492SPM MCB Leitungsschutzschalter Typ C, 2-polig 6A 277V, Abschaltvermögen 10 kA 1492, Polzahl: 2P, AC-Nennspannung: 277 V, 480V, DC-Nennspannung: 96V, Montageart: DIN-Schienen-Montage, Breite: 75mm, Länge: 35mm, Tiefe: 88mm, Anwendung: Allgemeine Anwendungen, Pausenzeit: Instant, MPN: 1492-SPM2C060.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
  • Schutzschalter
  • Leitungsschutzschalter
  • Allen Bradley
    • KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 100nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M)
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  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • KYOCERA AVX
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRCW06031R00FKEAHP.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1Ω ±1% / 0.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 12kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse
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    • IXYS IGBT / 164 A ±20V max., 1200 V 1040 W, 3-Pin PLUS264 N-Kanal
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  • IGBT
  • IXYS
    • IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264

    IXYS HiperFET, Q-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264

    : +150 °C.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC

    IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC

    45V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 330A, MPN: DSI30-08A.

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    • IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247

    IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.

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    45V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 330A, MPN: DSI30-08A.IXYS THT Diode, 800V / 30A, 2-Pin TO-220AC, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.

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    • IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247

    IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247

    : 5.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Polar IXFH16N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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