Infineon IPA65R1K5CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5,2 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ohm, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
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Infineon IPA65R1K5CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5,2 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon IPA65R1K5CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5,2 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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