reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

About The .: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.54 /10
Votes :- 8
TE Connectivity SM Wickel SMD-Widerstand 20Ω ±5% / 5W ±200ppm/°C, 5329 (13573M) Gehäuse

TE Connectivity SM Wickel SMD-Widerstand 20Ω ±5% / 5W ±200ppm/°C, 5329 (13573M) Gehäuse

TE Connectivity SM Wickel SMD-Widerstand 20Ω ±5% / 5W ±200ppm/°C, 5329 (13573M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 47kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 47kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRCW060347K0FKEAHP.: -55°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 33kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 20Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 20Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW060320R0FKEAHP.25W ±100ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • RS PRO Serie 2 Alu Rollenführungsschiene 40 x 40 mm, 3-fach Nut 5mm

    RS PRO Serie 2 Alu Rollenführungsschiene 40 x 40 mm, 3-fach Nut 5mm

    RS PRO Serie 2 Alu Rollenführungsschiene 40 x 40 mm, 3-fach Nut 5mm, Nutgröße: 5mm, 8mm, Material: Aluminium, Farbe: Silber, Serie: Profile 8/5.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Konstruktionsmaterialien und industrielle Systemteile
  • Konstruktionssysteme
  • Rohre und Strebenprofile
  • RS PRO
    • IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 30A, 4-Pin SOT-227B

    IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 30A, 4-Pin SOT-227B

    IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 30A, 4-Pin SOT-227B, Gleichrichter-Typ: Schalt, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schottky-Dioden und Gleichrichter
  • IXYS
    • IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

    IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

    : 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • IXYS
    • TRACOPOWER Schaltregler, Eingang 4.6 → 32 V dc, 4.6 → 42 V dc / Ausgang ±2.5V dc, 1 Ausg., 1 A, 600 mA,
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Spannungswandler
  • Schaltregler
  • TRACOPOWER
    • IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

    IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

    : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • IXYS
    • TRACOPOWER Schaltregler, Eingang 4.6 → 32 V dc, 4.6 → 42 V dc / Ausgang ±2.5V dc, 1 Ausg., 1 A, 600 mA,

    TRACOPOWER Schaltregler, Eingang 4.6 → 32 V dc, 4.6 → 42 V dc / Ausgang ±2.5V dc, 1 Ausg., 1 A, 600 mA,

    : -40°C, Netzausregelung: ±0.TRACOPOWER Schaltregler, Eingang 4.5V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Gehäuse: SIP, Wirkungsgrad: 74%, 75%, Brumm- und Störspannung: 50mV ss, Temperatur max.2mm, Länge: 11.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Spannungswandler
  • Schaltregler
  • TRACOPOWER