Infineon IPL60R IPL60R125C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 17 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPL60R IPL60R125C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 17 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
Specifications of Infineon IPL60R IPL60R125C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 17 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8 | |
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