Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.86mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
Specifications of Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |