onsemi UltraFET FDMS3572 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 48 A 78 W, 8-Pin PQFN8, Gehäusegröße: Leistung 56, Drain-Source-Widerstand max.: 29 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 0.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi UltraFET FDMS3572 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 48 A 78 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi UltraFET FDMS3572 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 48 A 78 W, 8-Pin PQFN8 | |
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